特許
J-GLOBAL ID：200903089535301278
エピタキシャルウェハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168898
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100737
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 大気圧下において、ヘイズレベルの低いエピタキシャルウェハを製造するための製造方法を提供する。【解決手段】 大気圧の反応ガス圧力中で、結晶方位<100>、傾き角0°±1°のシリコンウェハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、前記エピタキシャル成長の際に、成長温度Tを通例の成長温度よりも50°Cから100°C程度低くするようにしている。
請求項（抜粋）：
大気圧下で、結晶方位が<100>または〈111〉で傾き角0°±1°のシリコンウェハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、前記エピタキシャル成長の際に、成長温度Tを通例の成長温度よりも5 0°Cから100°C程度低くなるようにしたことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/20
, C30B 29/06
, H01L 21/20
H01L 21/205
, C30B 25/20
, C30B 29/06 A
, H01L 21/20
