特許
J-GLOBAL ID：200903051138646296
自立型超薄型シリコンウェハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏原 三枝子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174947
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044088
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 超薄型シリコンウェハの強度と耐久性を改良する。【解決手段】 シリコンウェハ2は、より厚いシリコンの環状リム3によって支持される超薄中央部分2を具える。中央領域は、従来の除去装置を用いた従来の手段によって薄くする。代替方法として、フォトレジストマスクあるいはフォトレジストマスクとハードマスクを組み合わせて中央部分を除去することができる。
請求項（抜粋）：
超薄型ウェハの製造方法において、半導体ウェハを提供するステップと、当該ウェハの一の表面から選択的に部分を除去して一又はそれ以上の超薄領域を設けるステップと、前記超薄領域を構造的にサポートするために前記ウェハの表面において更に選択した部分を残すステップと、を具えることを特徴とする超薄型ウェハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/3065
, H01L 21/306
, H01L 21/336
H01L 21/02 B
, H01L 21/302 A
, H01L 21/306 B
, H01L 29/78 658 Z
