レーザビームを用いる電子装置の製造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-525029
公開番号（公開出願番号）：特表平11-502067
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】薄膜回路素子を有する電子デバイスの製造において、ポリマ基板(2)上の半導体膜(1)について例えばレーザビーム(10)を用いてレーザ処理を行う。ビームは膜(1)で反射する。反射したレーザビーム(10b)が加熱された膜(1)の区域に再び入射すると、局部的なオーバ加熱に起因してレーザ処理における顕著な不均一性が生ずることが判明している。本発明者は、デバイス基板(2)が熱歪み性のポリマ材料の場合に生ずる課題について検討し、基板(2)の半導体膜(1)が入射したレーザビーム(10)入射加熱される区域において基板に一時的に凹面状の歪みが発生することを見出した。このビームは基板(2)の凹面状の歪みにより反射すると共に集束する。膜(1)は処理セルの窓(22)の下側にあるが、窓(22)及び/又は膜/基板(1,2)を角度θだけ傾けビームの経路に沿って互いに傾斜させることにより反射したレーザビーム(10b)が膜(1)の同一の区域に再び入射するのが阻止される。反射した集束性ビームは

請求項（抜粋）：

ポリマ基板上の半導体膜にレーザビームを用いてレーザ処理して電子デバイスを製造するに当たり、前記レーザビームを窓を透過させて前記半導体膜に入射させ、入射したレーザビームが前記半導体膜により反射し、レーザビームの経路中において前記窓及びポリマ基板を互いに傾斜させ、前記反射したレーザビームが前記半導体膜に入射するのを回避させる電子デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 , B23K 26/08 , B23K 26/12 , H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/268 G , B23K 26/08 D , B23K 26/12 , H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (1件)

レーザーアニール処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-298471 出願人：株式会社日本製鋼所

審査官引用 (6件)

レーザーアニール処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-298471 出願人：株式会社日本製鋼所
特開平4-332134
特開平4-226040

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