特許
J-GLOBAL ID：200903051640877080

レーザーアニール処理装置

発明者：
澤井 美喜

澤井 美喜 について

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金沢 正仁

金沢 正仁 について

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石坂 進一

石坂 進一 について


出願人/特許権者：
株式会社日本製鋼所

株式会社日本製鋼所 について


代理人 (1件)： 有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298471
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142999
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：
【要約】【課題】 被処理体から発生した蒸散物質による処理効率の低下を防止する。【解決手段】 真空チャンバ(1)内を真空引きし、ガス供給管(12)からプラズマソースガス(13)を供給し、高周波発生器(10)から高周波を発生させて高周波電極(9A,9B)に与え、レーザー導入窓(5)の真空チャンバ(1)内側に高周波プラズマを発生させ、プラズマエッチングによりレーザー導入窓(5)の汚れを除去する。【効果】 レーザー導入用窓(5)の汚れによる処理効率の低下を防止でき、品質およびスループットを向上できる。
請求項（抜粋）：
密閉容器(1)内に置かれた被処理体(M)に外部からレーザー導入用窓(5)を通してレーザー光(R)を照射するレーザーアニール処理装置において、前記レーザー導入用窓(5)の近傍に高周波プラズマ発生機構を設けることにより、被処理体(M)から発生してレーザー導入用窓(5)に付着した蒸散物質を除去できるようにしたことを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。
IPC (3件)：
C30B 33/02 ,  B01J 19/12 ,  H01L 21/268
FI (3件)：
C30B 33/02 ,  B01J 19/12 B ,  H01L 21/268 Z
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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