特許
J-GLOBAL ID：200903051165727435
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
島村 芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330476
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】多結晶シリコン膜の酸化により形成された酸化シリコン膜を除去することなく、その上に絶縁膜を形成することにより、多結晶シリコン膜の汚染や劣化を防ぎ、高品質の薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上に多結晶シリコン膜2を形成する第1工程と、水蒸気等の酸化能力のある気体を主成分とし圧力が5〜50気圧の雰囲気で上記多結晶シリコン膜2の表面層を酸化して多結晶シリコン膜2上に酸化シリコン膜4を形成する第2工程と、上記酸化シリコン膜3および改質された多結晶シリコン膜3を島状にエッチングする第3工程と、上記島状の酸化シリコン膜6および多結晶シリコン膜5を含む領域に絶縁膜7を形成する第4工程と、上記絶縁膜7上にゲート電極8を形成する第5工程とを有する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に多結晶シリコン膜を形成する第1工程と、水蒸気等の酸化能力のある気体を主成分とし圧力が5〜50気圧の雰囲気で上記多結晶シリコン膜の表面層を酸化して多結晶シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成する第2工程と、上記酸化シリコン膜および第2工程により改質された多結晶シリコン膜を島状にエッチングする第3工程と、上記島状の酸化シリコン膜および多結晶シリコン膜を含む領域に絶縁膜を形成する第4工程と、上記絶縁膜上にゲート電極を形成する第5工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/316
H01L 29/78 617 V
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/316 S
, H01L 29/78 627 G
