特許
J-GLOBAL ID:200903051243643928
円筒型電子源を用いた冷陰極及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-154523
公開番号(公開出願番号):特開2000-348600
出願日: 1999年06月02日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】 長さ及び直径が均一な円筒型電子源を配向制御して集積することにより放出電流量のバラツキを抑制した冷陰極を提供する。【解決手段】 ホール6内部に絶縁性材料のサイドウオール8を形成することにより、カーボン又はボロンナイトライドで構成される円筒型電子源7を高集積化すると共に、円筒型電子源7の端部を低仕事関数材料9、高抵抗材料10に置換することにより、低電圧化した、電流制限機構を有する冷陰極を提供する。
請求項(抜粋):
真空中に電子を放出する電子源と、電子を引き出すためのゲート電極と、前記電子源と前記ゲート電極を電気的に絶縁するゲート絶縁層を備える冷陰極において、前記電子源が円筒型電子源であり、前記円筒型電子源の一部が電子源を構成する材料とは異なる材料に置換されていることを特徴とする冷陰極。
IPC (4件):
H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 29/04
, H01J 31/12
FI (4件):
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
Fターム (11件):
5C031DD09
, 5C031DD17
, 5C031DD19
, 5C036EE02
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG12
, 5C036EH01
, 5C036EH08
引用特許:
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