不揮発性メモリ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森岡正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-090972
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266407
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】本発明は、不揮発性メモリ及びその製造方法に関し、強誘電体のリーク電流を抑制し、安定して使用することができる不揮発性メモリ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性メモリ1のメモリセルは、セル選択トランジスタ5と、セル選択トランジスタ5に電気的に接続された強誘電体キャパシタ2とを有している。強誘電体キャパシタ2は、下部電極15と、下部電極15上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜17と、強誘電体膜17上に形成された上部電極19とを有している。不揮発性メモリ1は、強誘電体膜17の面垂直方向(膜厚方向)に10kOeの磁場を印加すると共に400°Cに加熱して形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを備えた強誘電体キャパシタと、前記強誘電体膜に磁場を印加する磁場印加部とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 444A

Fターム (13件)：

5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083JA13 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-183570
半導体装置の製造方法、および強誘電体キャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-152943 出願人：富士通株式会社
正方晶BiCoO3及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-336507 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

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