不揮発性メモリ及びこれを用いた多値記憶方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：森脇正志 , 森脇康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-338339
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172483
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】一つのメモリセルで3値以上の状態を記憶できる、新規な不揮発性メモリの記憶方法を提案すること、それを実現する不揮発性メモリを提供する。【解決手段】強誘電体を含むゲート絶縁膜の分極状態に応じてソース-ドレイン間を流れるドレイン電流が変化する電界効果トランジスタを用いて、ドレイン電流の大きさに対応づけたディジタル情報を記憶する方法であって、磁界を印加することによりソース-ドレイン間を移動するキャリアに対し、第1の方向にローレンツ力を作用させた状態(I)と、第2の方向にローレンツ力を作用させた状態(II)と、ドレイン電流が実質的にゼロの状態(IV)との少なくとも3値を記憶することを特徴とする不揮発性メモリの記憶方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

強誘電体を含むゲート絶縁膜の分極状態に応じてソース-ドレイン間を流れるドレイン電流が変化する電界効果トランジスタを用いて、ドレイン電流の大きさに対応づけたディジタル情報を記憶する方法であって、磁界を印加することによりソース-ドレイン間を移動するキャリアに対し、第1の方向にローレンツ力を作用させた状態(I)と、第2の方向にローレンツ力を作用させた状態(II)と、ドレイン電流が実質的にゼロの状態(IV)と、の少なくとも3値を記憶することを特徴とする不揮発性メモリの記憶方法。

IPC (6件)：

H01L27/105 , G11C11/22 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (5件)：

H01L27/10 444A , G11C11/22 503 , H01L27/10 451 , H01L27/10 447 , H01L29/78 371

Fターム (8件)：

5F083FR06 , 5F083FZ10 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083ZA21 , 5F101BA62

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電体と強磁性体との複合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-338251 出願人：コリアインスティチュートオブサイエンスアンドテクノロージ
強誘電性メモリ素子及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-142784 出願人：三星電子株式会社
トンネル磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気センサー、磁気ヘッド及び磁気メモリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068096 出願人：株式会社日立製作所

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引用文献：

審査官引用 (1件)

日本物理学会講演概要集, 20020813, V57 N2 第3分冊, P499

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