特許
J-GLOBAL ID:200903051247515436
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
白井 重隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-177701
公開番号(公開出願番号):特開2001-049178
出願日: 1999年06月24日
公開日(公表日): 2001年02月20日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ塗膜が均一な低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 および/またはR2 Si(OR1 )3 ならびにSi(OR1 )4 (R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す)を含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOn-R(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、Rは炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物および/または(A-2)下記一般式(2)で表される化合物と、(A-3)下記一般式(3)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 Si(OR1 )2 (1)R2 Si(OR1 )3 (2)Si(OR1 )4 (3)(R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す。)(B)一般式PEOn-R(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、Rは炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件):
C09D183/04
, C09D171/02
, H01L 21/312
, H01L 21/316
FI (4件):
C09D183/04
, C09D171/02
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
Fターム (34件):
4J038DF021
, 4J038DF022
, 4J038DL051
, 4J038DL052
, 4J038JA17
, 4J038JA32
, 4J038JA55
, 4J038JB12
, 4J038JC32
, 4J038JC38
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038MA07
, 4J038NA07
, 4J038NA17
, 4J038NA26
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 4J038PC03
, 5F058AA04
, 5F058AA10
, 5F058AC04
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
, 5F058AH03
, 5F058BA07
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
引用特許:
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