特許
J-GLOBAL ID:200903051247515436

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 白井 重隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-177701
公開番号(公開出願番号):特開2001-049178
出願日: 1999年06月24日
公開日(公表日): 2001年02月20日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ塗膜が均一な低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 および/またはR2 Si(OR1 )3 ならびにSi(OR1 )4 (R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す)を含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOn-R(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、Rは炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物および/または(A-2)下記一般式(2)で表される化合物と、(A-3)下記一般式(3)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 Si(OR1 )2 (1)R2 Si(OR1 )3 (2)Si(OR1 )4 (3)(R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す。)(B)一般式PEOn-R(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、Rは炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件):
C09D183/04 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (4件):
C09D183/04 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (34件):
4J038DF021 ,  4J038DF022 ,  4J038DL051 ,  4J038DL052 ,  4J038JA17 ,  4J038JA32 ,  4J038JA55 ,  4J038JB12 ,  4J038JC32 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038MA07 ,  4J038NA07 ,  4J038NA17 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC04 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BA07 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る