発光領域における横方向電流注入を備えた半導体発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-279263
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081416
出願日： 2006年09月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】高電流密度で効率的に動作するIII族-窒化物発光装置を提供すること。【解決手段】半導体発光装置は、活性領域、n型領域、および活性領域の中へと伸びる部分を含んだp型領域を含んでいる。活性領域は、バリア層によって離間された複数の量子井戸を含んでおり、また前記p型伸長部は、該量子井戸層の少なくとも一つを貫通している。前記活性領域の中への前記p型領域の伸長部は、個々の量子井戸の中への直接的な電流経路を提供することによって、活性領域の個々の量子井戸におけるキャリアの均一な充填を与える。このような均一な充填は、バルクp型領域に最も近接した量子井戸の中のキャリア密度を減少させ、それにより非放射性再結合へと喪失されるキャリアの数を低減することによって、高電流密度での動作効率を改善することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

n型領域と光を放出するように構成された活性領域と p型領域とを具備した半導体発光装置であって前記p型領域が、前記活性領域の中へと伸びる少なくとも一つの伸長部を含んでなる装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F173AH22 , 5F173AP16 , 5F173AQ02 , 5F173AR23

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-192381
半導体発光装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-031200 出願人：沖電気工業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-223611 出願人：株式会社リコー

全件表示

前のページに戻る