特許
J-GLOBAL ID：200903051276044310

スルホン化ポリイミド高分子電解質膜及びその製造方法

発明者：
松田 愛子

松田 愛子 について

, 
溝口 晃

溝口 晃 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 西川 繁明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-168573
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367627
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 成膜性に優れ、イオン交換基容量が大きく、機械的強度に優れたスルホン化ポリイミドからなる高分子電解質膜、その製造方法、及び該高分子電解質膜を固体高分子電解質膜として有する固体高分子型燃料電池を提供すること。【解決手段】 1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物と少なくとも1つのスルホン酸基を持つジアミン化合物とスルホン酸基を持たないジアミン化合物とを反応させて得られるポリアミド酸を成膜し、ポリイミド化したスルホン化ポリイミド膜であって、イオン交換基容量が1.30meq/g以上、引張破断応力が25MPa以上、かつ、引張破断伸びが3%以上であるスルホン化ポリイミド高分子電解質膜、並びにその製造方法。
請求項（抜粋）：
下記式(I)【化1】で表わされる構造単位(I)と、下記式(II)【化2】で表わされる構造単位(II)(式中、Ar1及びAr2は、互いに同一または異なっていてもよい二価の有機基であり、Ar1は、少なくとも1つのスルホン酸基によって更に置換されている。)とを有するスルホン化ポリイミドから形成され、イオン交換基容量が1.30meq/g以上、引張破断応力が25MPa以上、かつ、引張破断伸びが3%以上であるスルホン化ポリイミド高分子電解質膜。
IPC (6件)：
H01M 8/02 ,  C08G 73/10 ,  C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CFG ,  H01M 8/10 ,  C08L 79:08
FI (6件)：
H01M 8/02 P ,  C08G 73/10 ,  C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CFG ,  H01M 8/10 ,  C08L 79:08 Z
Fターム (61件)：
4F071AA60X ,  4F071AF10 ,  4F071AF12 ,  4F071AF14 ,  4F071AF36 ,  4F071AH12 ,  4F071AH15 ,  4F071FA05 ,  4F071FA09 ,  4F071FB03 ,  4F071FB07 ,  4F071FC01 ,  4F071FD02 ,  4J043PA04 ,  4J043PA08 ,  4J043PC185 ,  4J043PC186 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043QB61 ,  4J043RA34 ,  4J043RA39 ,  4J043SA05 ,  4J043SA06 ,  4J043SA36 ,  4J043SA54 ,  4J043SA82 ,  4J043SB02 ,  4J043TA14 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA261 ,  4J043UA262 ,  4J043UA361 ,  4J043UA531 ,  4J043UB121 ,  4J043UB281 ,  4J043UB301 ,  4J043VA011 ,  4J043XA13 ,  4J043XA17 ,  4J043YA05 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA31 ,  4J043ZA41 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB13 ,  4J043ZB14 ,  4J043ZB47 ,  5H026AA02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB10 ,  5H026CX04 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH00 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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