特許
J-GLOBAL ID：200903051289911005
非晶質半導体薄膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253117
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115882
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】アモルファス半導体薄膜の膜質を良くするために、ダングリングボンドターミネータの水素導入工程を加える成膜方法の、安定性を向上させ、低コストとする。【構成】プラズマCVDあるいはホットワイヤCVDでアモルファス半導体を堆積する工程と、タングステン被膜を施した熱フィラメントの熱により水素を原子状にしてアモルファス半導体に導入する工程とを交互に繰り返す。
請求項（抜粋）：
化合物ガスを分解して基板上に非晶質半導体層を堆積する工程と、ダイヤモンド被膜を施した高融点金属フィラメントを熱源体として用いて水素ラジカルを前記非晶質半導体層に導入する工程とを交互に繰り返すことを特徴とする非晶質半導体薄膜の成膜方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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