特許

J-GLOBAL ID：200903051346566999

水溶性樹脂及びレジスト物質の混合層を形成して微細電子パターンを形成する方法

発明者： 崔 相俊 ,  李 始▲ヒュン▼ ,  金 ▲ヒョン▼度 ,  韓 宇声
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348515
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134801
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】 水溶性樹脂及びレジスト物質の混合層を形成して微細電子パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 レジスト物質を含むレジストパターンを微細電子基板上に形成する。レジスト物質と相互混合できる水溶性樹脂とを含むコーティング層をレジストパターン上に形成してレジストパターンと非混合のコーティング層との間にレジスト物質と水溶性樹脂とを含む混合層を提供する。混合層は硬化されて非混合のコーティング層を硬化された混合層から除去できる。【選択図】 図4D

請求項（抜粋）：

微細電子基板上にレジスト物質を含むレジストパターンを形成する段階と、 前記レジストパターン上に水溶性樹脂を含むコーティング層を形成し、前記水溶性樹脂及び前記レジスト物質が相互に混合されて前記レジストパターンと非混合のコーティング層との間に前記レジスト物質と前記水溶性樹脂とを含む混合層を提供する段階と、 前記混合層を硬化させる段階と、 前記硬化された混合層から前記非混合コーティング層を除去する段階と、を含むことを特徴とする微細電子基板上に微細電子パターンを形成する方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/40

FI (3件)：

H01L21/30 575 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502V

Fターム (5件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  2H096LA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,319,853号明細書(石橋の他著、「微細レジストパターンを使用した半導体素子の製造方法及びそれによって製造された半導体素子」)
  

審査官引用 (3件)

• 水溶性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-182778   出願人：クラリアントインターナショナルリミテッド
• 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-131367   出願人：ティーディーケイ株式会社
• パターン形成されたレジスト膜の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-283977   出願人：日本電気株式会社