特許
J-GLOBAL ID：200903073105032741

パターン形成されたレジスト膜の処理方法

発明者：
近藤 研二

近藤 研二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-283977
公開番号（公開出願番号）：特開2000-112150
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 高温にしてもパターン形状が変化することを抑えた、パターン形成されたレジスト膜の処理方法を提供する。【解決手段】 溶解阻止剤を含有する化学増幅型レジストからなるパターンレジスト膜11Aに、水溶性架橋剤を塗布して所定時間接触させて、水溶性架橋剤をレジストパターン膜11Aの上層及び側層に浸入させ、更に、残留している水溶性架橋剤を水洗により除去する。次いで、第1の所定条件で基板を熱処理して、浸入した水溶性架橋剤とレジストパターン膜を構成する樹脂とにより熱架橋反応を生じさせて、レジストパターン膜11Aの上層及び側層を硬化させ、エッチング耐性の高い熱架橋層16を形成する。更に、第1の所定条件より温度の高い第2の所定条件で基板を熱処理して、レジストパターン膜の上層及び側層に含まれる溶解阻止剤を熱分解して、エッチング耐性及び耐熱性の高い層17を形成する。
請求項（抜粋）：
溶解阻止剤を含有する化学増幅型レジストからなり、基板上に成膜され更にパターン形成されたレジスト膜(以下、レジストパターン膜という)を処理する方法であって、レジストパターン膜に水溶性架橋剤を塗布して所定時間接触させて、水溶性架橋剤をレジストパターン膜の上層及び側層に浸入させ、更に、残留している水溶性架橋剤を水洗により除去する工程と、第1の所定条件で基板を熱処理して、浸入した水溶性架橋剤とレジストパターン膜とにより熱架橋反応を生じさせて、レジストパターン膜の上層及び側層を硬化させる工程と、第1の所定条件より温度の高い第2の所定条件で基板を熱処理して、レジストパターン膜の上層及び側層に含まれる溶解阻止剤を熱分解する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成されたレジスト膜の処理方法。
IPC (3件)：
G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 502 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 502 ,  H01L 21/30 570
Fターム (11件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA12 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096GA09 ,  5F046AA07 ,  5F046AA09 ,  5F046JA04 ,  5F046LA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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