半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139151
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008181
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】信頼性や電気的安定性を向上させる。【構成】結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域113を備えた半導体装置であって、該活性領域113は、結晶化を助長する触媒元素が選択的に導入された非晶質ケイ素膜を加熱処理することにより形成されたラテラル成長部からなっており、レーザー光又は強光の照射前に、該非晶質ケイ素膜における該触媒元素の導入部105が除去された構成となっている。

請求項（抜粋）：

結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域を備えた半導体装置であって、該活性領域は、結晶化を助長する触媒元素が選択的に導入された非晶質ケイ素膜を加熱処理することにより形成されたラテラル成長部からなっており、レーザー光又は強光の照射前に、該非晶質ケイ素膜における該触媒元素の導入部が除去された構成となっている半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/263 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-140915
多結晶半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-268469 出願人：ソニー株式会社
特開平4-022120

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