比較的高い誘電定数を有する被膜を基板上に堆積するための方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (9件)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-587669
公開番号（公開出願番号）：特表2005-504432
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

半導体ウェーハの様な基板上に高k誘電体被膜を堆積する方法が提供される。基板は一回以上の反応サイクルに曝される。例えば、典型的な反応サイクルにおいて、一つ又はそれ以上の種類の反応性有機金属ガス前駆物質がリアクタ容器(12)に供給される。酸化ガスも、或る酸化温度の基板に供給され、層の酸化及び/又は高密度化を行う。結果して、金属酸化物被膜は、少なくとも大体1つの分子層、或る実施例においては、2つ又はそれ以上の分子層に等しい厚さを有する。結果の金属酸化物被膜の誘電体定数は約4よりもしばしば大きく、或る実施の形態において、約10乃至約80である。

請求項（抜粋）：

誘電体被膜を基板上に堆積するための方法であり、 i)基板を含む様に適合されるリアクタ容器、及び前記容器内に含まれる基板を加熱するためのリアクタ容器と連絡するエネルギー源を含むシステムを提供し、 ii)基板を第1の反応サイクルに曝し、前記第1の反応サイクルが、 a)前記エネルギー源で基板を第1の堆積温度に加熱し、前記第1の堆積温度が約300°Cよりも高く、 b)基板が前記第1の堆積温度である第1の堆積期間の間、リアクタ容器に第1のガス前駆物質を供給し、前記第1のガス前駆物質が第1のガス前駆物質流速を有し、前記第1のガス前駆物質が有機金属化合物から成り、 c)基板が第1の酸化ガス温度である第1の酸化ガス期間の間、第1の酸化ガスを前記リアクタ容器に供給し、前記第1の酸化ガスか第1の酸化ガスの流速を有し、誘電体の少なくとも部分的な分子層が、第1の反応サイクル中に形成される、ことを含み、そして iii)基板を一回又はそれ以上の追加の反応サイクルに曝して目標厚さを達成する、ことからなる方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/44

FI (3件)：

H01L21/316 X , C23C16/40 , C23C16/44 A

Fターム (27件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA06 , 4K030FA07 , 4K030FA08 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030HA11 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA04 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF38 , 5F058BH03 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (1件)

薄膜状絶縁膜およびその形成方法並びにその形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-022383 出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

Interaction of PbTiO3 Films with Si Substrate

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