特許
J-GLOBAL ID：200903051363850803

強誘電体キャパシタの製造方法

発明者：
猪股 大介

猪股 大介 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-283019
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092296
出願日： 2001年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体薄膜を、RTAを用いて昇温レートを早め、膜中の結晶核生成密度を上げ、グレイン(結晶粒)の成長をある程度抑制することは可能であるが、結晶化のための熱処理時間が短いと、十分な強誘電体膜の特性が得られないと言う課題がある。また、同時に、強誘電体薄膜の平坦性が低いという課題もある。【解決手段】 強誘電体薄膜を用いたキャパシタの製造方法であって、半導体基板上に下部導電層を形成する工程と、下部導電層上に有機溶剤と有機金属錯体を含む強誘電体原料溶液を塗布する工程と、強誘電体原料溶液中の前記有機金属錯体が分解する温度以上かつ強誘電体結晶化温度以下で加熱処理し金属化合物薄膜を形成する工程と、金属化合物薄膜上に上部導電層を形成する工程と、金属化合物薄膜を強誘電体結晶化温度以上で加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程と、を順次実施することにより、平坦性に優れ、強誘電体特性も良好な強誘電体キャパシタが得られる。
請求項（抜粋）：
強誘電体薄膜を用いたキャパシタの製造方法であって、半導体基板上に下部導電層を形成する工程と、前記下部導電層上に有機溶剤と有機金属錯体を含む強誘電体原料溶液を塗布する工程と、前記強誘電体原料溶液中の前記有機金属錯体が分解する温度以上かつ強誘電体結晶化温度以下で加熱処理し金属化合物薄膜を形成する工程と、前記金属化合物薄膜上に上部導電層を形成する工程と、前記金属化合物薄膜を強誘電体結晶化温度以上で加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程と、からなる強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105
FI (4件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/04 C
Fターム (20件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34
引用特許：
審査官引用 (3件)

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