特許

J-GLOBAL ID：200903051396312092

成膜方法

発明者： 長谷川 敏夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192828
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】 長いアイドリング後の成膜開始直後の第1枚目の被処理体に対する膜厚の再現性及び面内均一性を向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能な処理容器4内にて高融点金属化合物ガスと還元ガスとを用いて被処理体Wの表面に所定の膜を堆積させる成膜処理を行なう成膜方法において、前記成膜処理を開始する直前に、前記高融点金属化合物ガスと前記還元ガスとの内のいずれか一方を前記処理容器内へ所定の時間だけ予め流すプリフロー操作を行なう。これにより、長いアイドリング後の成膜開始直後の第1枚目の被処理体に対する膜厚の再現性及び面内均一性を向上させる。

請求項（抜粋）：

真空引き可能な処理容器内にて高融点金属化合物ガスと還元ガスとを用いて被処理体の表面に所定の膜を堆積させる成膜処理を行なう成膜方法において、前記成膜処理を開始する直前に、前記高融点金属化合物ガスと前記還元ガスとの内のいずれか一方を前記処理容器内へ所定の時間だけ予め流すプリフロー操作を行なうようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/08 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

C23C 16/08 ,  C23C 16/455

Fターム (8件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• CVD成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354603   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 多層TiN膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-206838   出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (2件)

• CVD成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354603   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 多層TiN膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-206838   出願人：三星電子株式会社