特許
J-GLOBAL ID:200903051401078656

不揮発性半導体メモリ用データ書込管理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-070207
公開番号(公開出願番号):特開平6-282484
出願日: 1993年03月29日
公開日(公表日): 1994年10月07日
要約:
【要約】【構成】 フラッシュメモリのためのデータ書込管理装置であって、フラッシュメモリの各ブロックについて書込(および消去)が行なわれたことを検出するブロック書込検出回路を備える。CPU1は、各ブロックについて書込回数をカウントしており、新たなデータの書込は、書込回数の少ないブロックについて優先的に行なわれる。【効果】 フラッシュメモリにおけるブロックについて平均的にデータ書込が行なわれるので、一部のブロックにデータ書込が集中するのが防がれ、その結果フラッシュメモリの寿命が実質的に延長され得る。
請求項(抜粋):
不揮発性半導体メモリにおけるデータ書込ブロックを管理するデータ書込管理装置であって、前記不揮発性半導体メモリは、不揮発性半導体メモリ素子によって構成されたメモリセルアレイを含み、前記メモリセルアレイは、各々がアクセス可能な単位である複数のブロックに分けられ、各前記複数のブロックごとにデータの書込回数を記憶する書込回数記憶手段と、前記書込回数記憶手段を参照することにより、書込回数の最も少ないブロックを検出するブロック検出手段と、前記ブロック検出手段によって検出されたブロックに対し、データ書込を実行するデータ書込手段とを含む、不揮発性半導体メモリ用データ書込管理装置。
IPC (3件):
G06F 12/02 510 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06
引用特許:
審査官引用 (3件)

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