半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164768
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】実装面積を縮小しコストダウンが可能な半導体装置の製造方法を提供すると共に、裏面電極を対象配置することにより実装時の弊害をも防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】多数の搭載部20を有する基板21を準備する。搭載部20毎に半導体チップ33を搭載し、樹脂層35で被覆し、搭載部20毎に分離して個別の半導体装置を形成する。絶縁基板22の裏面側には、半導体チップの電極と導通された外部電極31a〜31dを配置する。外部電極31a〜31dを、パッケージの中心線41、42に対して各々対象となるように配置する。

請求項（抜粋）：

複数の搭載部を有する絶縁基板を準備し、前記搭載部の各々に半導体チップを固着し、前記絶縁基板の上を樹脂層で被覆し、前記搭載部毎に分離して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記絶縁基板の裏面表面に複数の外部電極を形成し、前記外部電極を前記絶縁基板の中心線に対して左右対象となるように配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/28 , H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 23/28 Z , H01L 21/56 R

Fターム (9件)：

4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA05 , 4M109DB16 , 5F061AA01 , 5F061BA04 , 5F061CA04 , 5F061CB03 , 5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

表面実装型電子部品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069355 出願人：日本インター株式会社
チップ型発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-340795 出願人：株式会社シチズン電子
特開昭64-054749

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