特許

J-GLOBAL ID：200903051426065060

薄膜トランジスタ装置

発明者： 日 野 隆
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253476
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096957
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 CVD等の均一性に問題のあるプロセスで形成される層間絶縁膜を、十分な厚みに形成すると共に、この層間絶縁膜を貫通して形成されるコンタクトホールの十分なオーバーエッチングを可能として、コンタクトホールを信頼性良く形成できるような構造の薄膜トランジスタ装置を実現する。【解決手段】 石英基板1の上に多結晶Si膜6を島状に形成した活性層を配置し、この多結晶Si膜6の上にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を形成し、更に、ゲート電極の上から全面に層間絶縁膜7を成膜し、この層間絶縁膜7、ゲート絶縁膜3を貫通し、多結晶Si膜6の内部に達するようにオーバーエッチングによりコンタクトホールを形成し、少なくともコンタクトホール8の側面から多結晶Si膜6と信号線9のコンタクトを確保するようにして薄膜トランジスタ装置を構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に多結晶Siによって形成された活性層と、前記活性層の上方にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極の上面に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜を貫通して、前記活性層の内部に達するように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの内部に埋込まれて、少なくとも側面から前記活性層と電気的にコンタクトする信号線と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-275436
  
• 特開平2-220475
  
• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077922   出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-242478   出願人：株式会社東芝