特許
J-GLOBAL ID：200903051430965912
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-283850
公開番号（公開出願番号）：特開2007-094058
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】従来技術のパターン縮小プロセスは、レジストパターンの表面にレジストパターンと反応する溶液を塗布後、レジストパターンと塗布膜との反応を促進するために基板を加熱する工程がある。【解決手段】本発明は、レジストパターン縮小化材料を滴下するノズルの近傍に、レジストパターン縮小化材料を昇温する昇温手段有することを特徴とする塗布装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の寸法でパターニングされたレジストパターン表面にレジストパターン縮小化材料を塗布し、前記レジストパターンの表面を変成し変成層を形成することで前記レジストパターンの寸法を変える、レジストパターンの形成方法であって、
前記レジストパターンが形成された基板を塗布装置の基板載置台に搬送する工程と、
前記塗布装置に供給される前記レジストパターン縮小化材料を前記塗布装置の前記レジストパターン縮小化材料を滴下するノズルにより、前記ノズルの開口部近傍で昇温する工程と、
前記昇温された前記レジストパターン縮小化材料を前記基板の前記レジストパターン上に滴下する工程と、
前記レジストパターン縮小化材料により前記レジストパターンに変成層を形成する工程と、
前記レジストパターン縮小化材料、あるいは、前記レジストパターン縮小化材料および前記変成層を除去することで前記レジストパターンの寸法を第2の寸法に縮小する工程とを有し、
前記基板を塗布装置に搬送後、前記縮小する工程まで前記基板を前記塗布装置から移動することなく行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 5F046AA28
, 5F046LA18
