特許

J-GLOBAL ID：200903051434456370

マルチレベル不揮発性メモリ装置でのプログラム方法

発明者： 蔡 東 ▲ヒュク▼ ,  邊 大 錫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230423
公開番号（公開出願番号）：特開2008-065978
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】マルチレベル不揮発性メモリ装置でのプログラム方法を提供する。【解決手段】少なくとも一つ以上のフラッグセルと複数個のマルチビット保存セルとを備えるマルチレベル不揮発性メモリでのプログラム方法は、基準電圧の大きさがVR1<VR2<VR3のとき、保存セルに第1値を保存する場合、VR1より低いしきい電圧を有し、保存セルに第2値を保存する場合、VR1より高くてVR2より低いしきい電圧を有し、保存セルに第3値を保存する場合、VR2より高くてVR3より低いしきい電圧を有し、保存セルに第4値を保存する場合、VR3より高いしきい電圧を有するように、保存セルに先に最下位ビットをプログラムした後、最上位ビットをプログラムするステップと、最上位ビットがプログラムされることを表すために、フラッグセルにVR3より高いしきい電圧を有するようにプログラムするステップと、を含む。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

少なくとも一つ以上のフラッグセルと複数個のマルチビット保存セルとを備え、各マルチビット保存セルは、表そうとするデータに使われる電荷の量を異ならせて保存でき、前記データは、最下位ビット及び最上位ビットを備えるマルチレベル不揮発性メモリでのプログラム方法において、 基準電圧VR1,VR2及びVR3の大きさがVR1<VR2<VR3のとき、 前記保存セルに第1値を保存しようとする場合、前記電圧VR1より低いしきい電圧を有し、 前記保存セルに第2値を保存しようとする場合、前記電圧VR1より高くて前記電圧VR2より低いしきい電圧を有し、 前記保存セルに第3値を保存しようとする場合、前記電圧VR2より高くて前記電圧VR3より低いしきい電圧を有し、 前記保存セルに第4値を保存しようとする場合、前記電圧VR3より高いしきい電圧を有するように、前記保存セルに先に最下位ビットをプログラムした後、最上位ビットをプログラムするステップと、 前記フラッグセルが、前記最上位ビットがプログラムされることを表すために、前記電圧VR3より高いしきい電圧を有するようにプログラムするステップと、を含むことを特徴とするマルチレベル不揮発性メモリでのプログラム方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (3件)：

G11C17/00 611G ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E

Fターム (13件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA06 ,  5B125CA14 ,  5B125DB12 ,  5B125DB19 ,  5B125EA05 ,  5B125EJ08 ,  5B125EJ10 ,  5B125FA01 ,  5B125FA05 ,  5B125FA06 ,  5B125FA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-402161   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性記憶内の結合の補償
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-505381   出願人：サンディスクコーポレイション