特許
J-GLOBAL ID：200903057067935354

半導体装置の作製方法及び半導体装置の作製装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
島田 浩行

島田 浩行 について

, 
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100642
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283151
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性の劣る基板上に良好な特性を示す薄膜トランジスタ(TFT)を作製する方法に関して、特性の優れたゲイト絶縁膜の作製方法およびそのための装置を提供する。【構成】 酸素等の酸化性雰囲気中、もしくはアンモニア等の窒化性雰囲気中において、基板をレーザー処理チャンバーに置き、基板上に形成された非単結晶シリコン薄膜表面に、レーザー光もしくはこれを同等の強光を照射することによって、非単結晶シリコン膜の結晶性を改善するとともに表面にごく薄い酸化膜もしくは窒化膜、あるいは酸化窒化膜を形成する。さらに、このように処理した基板が大気に触れないように成膜チャンバーに移送し、しかる後にプラズマCVD法、スパッタリング法等の気相の成膜手段によって絶縁被膜を成膜し、所望の厚さのゲイト絶縁膜とする。
請求項（抜粋）：
レーザー光またはそれと同等な強光を照射する処理装置と、気相成長方式による真空成膜装置とをいずれも少なくとも1つ有する半導体処理装置において、レーザー光またはそれと同等な強光を照射する処理装置において、基板上に形成された半導体膜に対して酸化性もしくは窒化性雰囲気においてレーザー光またはそれと同等な強光を照射する工程と、前記レーザー光またはそれと同等な強光を照射する処理装置から外気に曝すことなく前記基板を前記真空成膜装置に移送し、前記半導体膜上に酸化珪素もしくは窒化珪素を含む被膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/31
引用特許：
審査官引用 (16件)
  • 特開昭63-250178
  • 特開昭64-076737
  • 特開平4-373178
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