特許
J-GLOBAL ID：200903051492371458

半導体の接続領域の接触抵抗を低減する方法

発明者：
ロバート・ランダー

ロバート・ランダー について

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マルクス・ヨハネス・ヘンリクス・ファン・ダル

マルクス・ヨハネス・ヘンリクス・ファン・ダル について

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ジェイコブ・クリストファー・フッカー

ジェイコブ・クリストファー・フッカー について


出願人/特許権者：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ について

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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301664
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123626
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 半導体装置の接続領域の接触抵抗を小さくする。【解決手段】 本発明は、基板表面内および/または基板表面上に少なくとも1つの接続領域を形成するシリコン領域を伴う半導体構造を有する半導体装置の製造方法に関する。この方法は、第1の非シリサイド化金属から金属クラスタ層を形成すること、続いて第2のシリサイド化金属からなる金属層の堆積を含む。続く熱処理により、第2金属から金属珪化物が形成され、第1金属の原子は、基板の表面に対して実質的に垂直な方向へ移動される。本発明によれば、第1金属の原子は、金属珪化物の下で、カーケンドール効果により置換される。これは、例えばMOSTが製造される場合に、ソースおよびドレイン領域の位置、およびゲート電極の位置での利点を有している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板表面内および/または基板表面上に少なくとも1つの接続領域を形成するシリコン領域を有する半導体構造を含む、以下を含む半導体装置の製造方法: 非シリサイド化金属である第1金属から、層内に、金属クラスタと、金属クラスタが全く存在しない部位とが、交互になる方法で、金属クラスタ層を形成すること、 金属クラスタ層の表面上に、シリサイド化金属である第2金属の金属層を堆積させること、 この第2金属とシリコン領域との反応を通して金属珪化物を形成する目的で、少なくとも1つの熱処理を実行し、第1金属の原子を、基板表面に対して実質的に垂直な方向へ置換させること。
IPC (6件)：
H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (8件)：
H01L21/28 301S ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V
Fターム (96件)：
4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F048AC03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC05 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F110AA03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE43 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG43 ,  5F140BG45 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BK22 ,  5F140BK32 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5,851,891号明細書
審査官引用 (4件)
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