特許
J-GLOBAL ID：200903051494271442

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
叶野 治

叶野 治 について

, 
入間田 修一

入間田 修一 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169691
公開番号（公開出願番号）：特開平11-006060
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 MSix(M=W、Ta、Ti)(x=0.5〜1.1)シリサイドターゲットのパーティクル発生を低減させること。【解決手段】 MSix(M=W、Ta、Ti)(x=0.5〜1.1)の組成を有し、密度比が95%以上である低モル比シリサイドターゲットを提供する。上記組成のシリサイド粉末を合成し、合成シリサイド粉末を直接、もしくはホットプレスにより焼結体を作製後、融点直下でかつ高圧力の下で、HIP処理することによって、密度比を95%以上とする。
請求項（抜粋）：
MSix(M=W、Ta、Ti)(x=0.5〜1.1)の組成を有し、そして密度比が95%以上であることを特徴とする低モル比・高密度のシリサイドから成るスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/58 106 ,  C23C 14/06 ,  B22F 3/15
FI (4件)：
C23C 14/34 A ,  C04B 35/58 106 Z ,  C23C 14/06 E ,  B22F 3/14 E
引用特許：
審査官引用 (8件)
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