半導体光制御素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195272
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016322
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】広い波長帯域にわたって偏光無依存の光増幅機能を有する半導体光制御素子を提供すること。【解決手段】活性層は、バンドギャップ波長1.56μmのInGaAsPからなる活性層12と、バンドギャップ波長1.3μmのInGaAsPからなる障壁層11と、その上に積層されたInGaAsPからなる活性層10と、その上に積層されたバンドギャップ波長1.3μmのInGaAsPからなる障壁層9と、その上に積層されたバンドギャップ波長1.56μmのInGaAsPからなる活性層8からなり、バンドギャップ波長の異なる複数の活性層部分により積層され、各活性層から得られる利得スペクトルを重ね合わせた全体の利得スペクトルは異なる波長帯域の利得スペクトルの和によって波長帯域が広がる。

請求項（抜粋）：

電流注入による光増幅機能を有する活性層を備えた半導体光制御素子において、前記活性層は、第1の活性層部分と、該第1の活性層部分上に積層され、かつ前記第1の活性層部分よりも小さなバンドギャップ波長を有する第1の障壁層と、該第1の障壁層部分上に積層された第2の活性層部分と、該第2の活性層部分上に積層され、かつ前記第2の活性層部分よりも小さなバンドギャップ波長を有する第2の障壁層と、該第2の障壁層上に積層された第3の活性層部分とを有することを特徴とする半導体光制御素子。

IPC (2件)：

H01S 5/50 610 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 5/50 610 , H01S 5/323

Fターム (5件)：

5F073AA22 , 5F073AA31 , 5F073BA01 , 5F073CA12 , 5F073CB02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-076186
特開昭62-118591
特公平4-051074

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