特許
J-GLOBAL ID：200903051522502951

III-V族化合物半導体を利用した電界効果トランジスタ

発明者：
今西 健治

今西 健治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252345
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】低電界で高い電子移動度を有し,高電界でインパクトイオン化が抑制されたチャネル層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】高電子移動度トランジスタにおいて,InP基板上にIn1-x (Al1-z Gaz)xAs(Alの組成比(z-1)0.05〜0.5)からなるノンドープの第2のチャネル層3と,InPに格子整合するIn1-xGaxAsからなるノンドープの第1のチャネル層4と,InPに格子整合するIn1-yAlyAs からなる不純物ドープの電子供給層6とを有し,In1-xGaxAsの第1のチャネル層とN型In1-yAlyAs の電子供給層との間に十分な伝導帯のエネルギーレベル差を形成し,二次元電子ガス濃度を高くすると共に,In1-xGaxAsの高い電子移動度により低電界での高速特性を可能にする。更にバッファ層側にIn1-x (Al1-z Gaz)xAsの第2のチャネル層を形成するので高電界でのインパクトイオン化によるドレインコンダクタンスの増大を防止する。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体を利用した高電子移動度トランジスタにおいて,InP基板上にバッファ層を介して積層されたノンドープの第2のチャネル層と,前記第2のチャネル層上に積層されたノンドープの第1のチャネル層と,前記第1のチャネル層上に積層された不純物ドープの電子供給層とを有し,前記第1のチャネル層はIn1-xGaxAsからなり,界面において前記電子供給層より低い伝導帯のエネルギーレベルを有し,前記第2のチャネル層はP以外のV族を使用したIII-V族化合物半導体からなり,第1のチャネル層より高い伝導帯のエネルギーレベルを有し且つ第1のチャネル層より広いバンドギャップを有することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
Fターム (20件)：
5F102FA00 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平2-090539
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-004473   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-297953   出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-297953   出願人：日本電信電話株式会社
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-004473   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-090539

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