特許
J-GLOBAL ID：200903051543364397
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169858
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016904
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 従来の、シランと過酸化水素を混合ガスとして用いCVD法で形成したシリコン酸化膜では、上下配線を接続する接続孔(ビア)において、ポイズンドビアと称される配線不良が生じる。【解決手段】 半導体装置の層間絶縁膜を、シリコン原子を主要素とし、前記シリコン原子が酸素結合及び炭素結合を有するとともに、少なくとも一部の前記シリコン原子が水素結合を有する材料を用いて形成する。また、層間絶縁膜の形成方法として、ガス分子構造としてシリコン原子が水素結合及び炭素結合を有する反応性ガスと過酸化水素とによる混合ガスを用いて化学気相成長法により層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の層間絶縁膜が、シリコン原子を主要素とし、前記シリコン原子が酸素結合及び炭素結合を有するとともに、少なくとも一部の前記シリコン原子が水素結合を有する材料により形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/316 X
, H01L 21/90 M
