特許

J-GLOBAL ID：200903051567473405

ポリイミド多孔質膜およびその製造法

発明者： 下村 政嗣 ,  藪 浩
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273294
公開番号（公開出願番号）：特開2003-080538
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 簡便な手法にて作成することの出来る高耐久性ポリイミドハニカム膜の提供にある。【解決手段】 両親媒性ポリマーの疎水性有機溶媒溶液を、相対湿度50%以上の大気下で基板上に塗布し、該有機溶媒を蒸発させることにより生じた微小水滴を蒸発させることにより得られる多孔質膜において、該多孔質膜が式(1)で表される繰り返し単位を有するポリイミドからなることを特徴とするポリイミド多孔質膜に関し、また両親媒性ポリマーの疎水性有機溶媒溶液を、相対湿度50%以上の大気下で基板上に塗布し、該有機溶媒を蒸発させることにより生じた微小水滴を蒸発させることにより得られる多孔質膜の製法において、該多孔質膜が式(2)で表されるポリアミック酸と脂質とのポリイオン錯体であり、かつこれを用いて多孔質膜を形成させてからイミド化することを特徴とするポリイミド多孔質膜の製造法に関する。【化1】(式中R1はテトラカルボン酸残基、R2はジアミン残基を示し、Qは炭素数4以上の有機基を少なくとも1つ有するアンモニウムカチオン残基を示す。)

請求項（抜粋）：

両親媒性ポリマーの疎水性有機溶媒溶液を、相対湿度50%以上の大気下で基板上に塗布し、該有機溶媒を蒸発させることにより生じた微小水滴を蒸発させることにより得られる多孔質膜において、該多孔質膜が式(1)【化1】(式中、R1はテトラカルボン酸残基、R2はジアミン残基を示す。)で表される繰り返し単位を有するポリイミドからなることを特徴とするポリイミド多孔質膜。

IPC (6件)：

B29C 41/08 ,  B01D 71/64 ,  B01J 47/12 ,  H01M 8/02 ,  B29K 79:00 ,  B29K105:04

FI (6件)：

B29C 41/08 ,  B01D 71/64 ,  B01J 47/12 B ,  H01M 8/02 P ,  B29K 79:00 ,  B29K105:04

Fターム (23件)：

4D006GA50 ,  4D006MA03 ,  4D006MA12 ,  4D006MA21 ,  4D006MB15 ,  4D006MC58X ,  4D006NA04 ,  4D006NA10 ,  4D006NA16 ,  4D006NA64 ,  4D006PC01 ,  4F205AA40 ,  4F205AC05 ,  4F205AG20 ,  4F205AM26 ,  4F205GA06 ,  4F205GB01 ,  4F205GE22 ,  4F205GN22 ,  4F205GN24 ,  5H026AA06 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多孔質フィルム及びそれを用いた電池用セパレータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-116178   出願人：宇部興産株式会社
• 特開昭56-139104
  
• ハニカム構造体およびその調製方法、ならびにその構造体を用いたフィルムおよび細胞培養基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-340568   出願人：テルモ株式会社
• ハニカム状多孔質体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-143938   出願人：株式会社豊田中央研究所