特許

J-GLOBAL ID：200903051585737983

半導体基板上にタングステンを堆積する方法

発明者： アドリネ グドチョックッテ ,  セレシュ マンシン マーチャント
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-151544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007048
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、低Kの誘電体材料を有する半導体基板上に360°Cから390°Cの低温度でタングステンを堆積する方法を提供することである。【解決手段】 複数の堆積ステーションを有するCVDチェンバ内の第1堆積ステーションに半導体基板を収納するステップと、前記半導体基板を加熱するステップと、シリコンのアモルファス状モノレイヤを形成するために前記第1堆積ステーション内に初期ガスを導入するステップと、前記初期ガスはシラン(SiH4)のガス流を含み、シラン還元タングステン層を形成するために前記第1堆積ステーションに核形成ガスを導入するステップと、前記核形成ガスは、シランガス流と六フッ化タングステン(WF6)ガス流とを含み、水素還元バルクタングステン層を形成するために水素還元ガス流を導入するステップと、前記水素還元ガス流は水素ガス流と六フッ化タングステンガス流(WF6)とを含み、連続して堆積ステーションでバルク水素還元タングステン層を堆積するステップとを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A) 複数の堆積ステーションを有するCVDチェンバ内の第1堆積ステーションに半導体基板を収納するステップと、(B) 前記半導体基板を360-390°Cの範囲の温度に加熱するステップと、(C) シリコンのアモルファス状モノレイヤを形成するために、前記第1堆積ステーション内に初期ガスを導入するステップと、前記初期ガスは、40-48sccmのシラン(SiH4)のガス流を含み、(D) シラン還元タングステン層を形成するために、前記第1堆積ステーションに核形成ガスを導入するステップと、前記核形成ガスは、20-30sccmのシランガス流と300-350sccmの六フッ化タングステン(WF6)ガス流とを含み、(E) 水素還元バルクタングステン層を形成するために、水素還元ガス流を導入するステップと、前記水素還元ガス流は、7,000-8,500sccmの水素ガス流と300-350sccmの六フッ化タングステンガス流(WF6)とを含み、(F) 連続して堆積ステーションでバルク水素還元タングステン層を堆積するステップとを有することを特徴とする半導体基板上にタングステンを堆積する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/54

FI (6件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/54

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049321   出願人：日本電気株式会社
• タングステンの成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100363   出願人：富士通株式会社