特許
J-GLOBAL ID：200903051653803833

シリコンの低温窒化

発明者：
ヨシ オノ

ヨシ オノ について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-181775
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045222
出願日： 2004年06月18日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】比較的低温で形成される窒化シリコン膜を提供すること。【解決手段】シリコン基板16の低温窒化方法は、シリコンウェハ16を真空チャンバ14において加熱チャック22の上に配置する工程と、シリコンウェハ16を、ほぼ室温と400°Cとの間の温度に維持する工程と、真空チャンバ14に窒素含有ガスを導入する工程と、窒素含有ガスを、エキシマランプ12を用いて窒素に解離して、窒素をシリコンウェハ16上にフローする工程と、シリコンウェハ16の少なくとも一部の上に、窒化シリコン層を形成する工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の低温窒化方法であって、 シリコンウェハを真空チャンバにおいて加熱チャックの上に配置する工程と、 該シリコンウェハを、ほぼ室温と400°Cとの間の温度に維持する工程と、 該真空チャンバに窒素含有ガスを導入する工程と、 該窒素含有ガスを、エキシマランプを用いて窒素に解離して、該窒素を該シリコンウェハ上にフローする工程と、 該シリコンウェハの少なくとも一部の上に、窒化シリコン層を形成する工程と を包含する、方法。
IPC (2件)：
H01L21/318 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/318 A ,  H01L29/78 301G
Fターム (11件)：
5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF54 ,  5F058BF64 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA28 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD10 ,  5F140BE08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,274,510号明細書
審査官引用 (5件)
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