特許
J-GLOBAL ID：200903051680869323
テトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-130277
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：
【要約】【課題】 反応工程を実質的に一段階にすることにより、テトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体を効率的にかつ簡単に安価に製造する方法を提供する。【解決手段】 一般式(1)【化18】(式中、R1 〜R3 はそれぞれ独立してH、F、炭化水素基またはアルコキシ基を表す)で表されるフッ化アリールと、一般式(2)「R0 Xa ...(2)」(式中、R0 は炭化水素基を表し、XaはCl、BrまたはIを表す)で表されるハロゲン化炭化水素と、Mgとをエーテル系溶媒中で反応させて一般式(3)【化19】(式中の記号は前記と同じ)で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導体を得た後、該誘導体と、一般式(4)「BXb3 ...(4)」(式中、XbはF、Cl、BrまたはIを表す)で表されるハロゲン化ホウ素とを反応させる。これにより、一般式(5)【化20】(式中の記号は前記と同じ)で表されるテトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体が得られる。
請求項（抜粋）：
一般式(1)【化1】(式中、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す)で表されるフッ化アリールと、一般式(2)R0 Xa ......(2)(式中、R0 は炭化水素基を表し、Xaは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるハロゲン化炭化水素と、マグネシウムとを、エーテル系溶媒中、または、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させて、一般式(3)【化2】(式中、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、Xaは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、一般式(4)BXb3 ......(4)(式中、Xbはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるハロゲン化ホウ素とを反応させることを特徴とする一般式(5)【化3】(式中、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、Xaは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるテトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体の製造方法。
引用特許：
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