特許
J-GLOBAL ID：200903051683564434
半導体ウェハの熱処理装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064402
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134723
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】半導体ウェハの面内での線幅などのばらつきを抑制するように熱処理を行うことができる半導体ウェハの熱処理装置と熱処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハを所定の温度に加熱処理する加熱板10と、加熱板上に戴置された半導体ウェハまたは半導体ウェハ相当物を加熱処理するときの温度を複数の領域に分割して測定する温度測定部13と、半導体ウェハの温度を制御する制御部12とを有し、温度測定部13による温度の測定結果に応じて制御部12により半導体ウェハを加熱するときの温度を複数の領域毎に制御する構成とする。また、加熱処理後の冷却時において、温度測定部による温度の測定結果に応じて制御部により半導体ウェハを冷却するときの温度を複数の領域毎に制御する構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを所定の温度に加熱処理する加熱板と、
前記加熱板上に戴置された半導体ウェハまたは半導体ウェハ相当物を加熱処理するときの温度を複数の領域に分割して測定する温度測定部と、
前記半導体ウェハの温度を制御する制御部と
を有し、
前記温度測定部による温度の測定結果に応じて前記制御部により前記半導体ウェハを加熱するときの温度を前記複数の領域毎に制御する
半導体ウェハの熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/027
, H01L21/02
, H05B3/00
H01L21/30 567
, H01L21/02 B
, H05B3/00 310E
, H05B3/00 370
3K058AA42
, 3K058AA86
, 3K058AA88
, 3K058CA12
, 3K058CA28
, 3K058CE19
, 3K058CE23
, 3K058CE26
, 5F046KA04
, 5F046KA10
