特許
J-GLOBAL ID:200903051701072412

電力用半導体装置及び電力用半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-230910
公開番号(公開出願番号):特開2003-045920
出願日: 2001年07月31日
公開日(公表日): 2003年02月14日
要約:
【要約】【課題】 電力用半導体チップの電極と配線との接合強度を向上させる。【解決手段】 圧接接合前において、電力用半導体チップ2の電極2Aは凹凸形状の表面2ASを有している一方、配線3の接続部3Aは平坦な表面3ASを有している。両表面3AS,3ASを対面させ、そして接触させた後、超音波ヘッド21で以て配線3の接続部3Aの側から荷重を徐々に加え、更に超音波ヘッド21によって超音波を印加する。これにより電極2Aと接続部3Aとが超音波による加熱で溶着し、圧接接合される。
請求項(抜粋):
電極を有する電力用半導体チップと、前記電極と圧接接合された接続部を有する配線とを備え、前記電極と前記接続部との少なくとも一方の表面は凹凸形状に形成されており、前記電極と前記接続部とは前記凹凸形状の前記表面を介して圧接接合されて成る、電力用半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 321 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L 21/60 321 E ,  H01L 25/04 C
Fターム (5件):
5F044AA07 ,  5F044AA14 ,  5F044CC00 ,  5F044EE01 ,  5F044EE13
引用特許:
審査官引用 (5件)
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