特許
J-GLOBAL ID：200903051731527732

新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
小林 克浩

小林 克浩 について

, 
柳 義敬

柳 義敬 について

, 
前田 和規

前田 和規 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244358
出願日： 2003年02月13日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【解決手段】下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。【化1】(Rは水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10のアルキル基又は炭素数6〜14のアリール基を示す。pは1又は2、qは0又は1、p+q=2を満足する。nは2又は3、n’は0又は1、mは3〜11の整数、kは0〜4の整数。)【効果】本発明のスルホニルジアゾメタン及びそれを用いた化学増幅型レジスト材料は、スルホニルジアゾメタンに長鎖アルコキシル基を複数含有することより、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。
IPC (6件)：
C07C317/28 ,  C08F12/24 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (7件)：
C07C317/28 ,  C08F12/24 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (48件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4H006AA01 ,  4H006AB92 ,  4H006TA02 ,  4H006TB04 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB03Q ,  4J100AB07P ,  4J100AJ02P ,  4J100AJ02Q ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AM43Q ,  4J100AM43R ,  4J100AR10Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA14P ,  4J100BA14Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA72P ,  4J100BA72Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC21P ,  4J100BC21Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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