半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：前田実 , 山形洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157730
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363213
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】第1の基板上に形成した半導体薄膜を第2の基板に固定した後、第1の基板を剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度を高くし、エッチング速度の均一性を高める。【解決手段】第2の基板(40)の、少なくとも半導体薄膜(20)貼り付け予定領域(44)外にエッチング液通路(50、54、56、58)を設ける。エッチング液通路は例えば貫通孔(50、56)及び/又は溝(54、58)を含み、これらは半導体薄膜(20)を第2の基板への貼付け前に形成されるのが望ましい。エッチング液(62)はこれらの通路を通って半導体薄膜(20)と第2の基板(40)の間の剥離層(13)に達し、剥離層(13)をエッチング除去する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

第1の基板上に設けた半導体薄膜の上面を第2の基板の第1の面に貼り付け、第1の半導体基板から剥離する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記第2の基板の、前記半導体薄膜貼り付け予定領域外にエッチング液通路を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L27/12

FI (4件)：

H01L21/306 N , H01L21/02 B , H01L21/20 , H01L27/12 B

Fターム (6件)：

5F043AA20 , 5F043BB07 , 5F043DD18 , 5F043GG10 , 5F052JA07 , 5F052KA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

アクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-154590 出願人：松下電器産業株式会社
モノリシック集積回路の構成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302631 出願人：日本電信電話株式会社
エピタキシャル層を1つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-168653 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

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