表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355854
公開番号（公開出願番号）：特開2002-251174
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】貫通電流が充分に抑制された電圧レベル変換器を得る。【解決手段】絶縁基板面に多結晶シリコンを半導体層とするMISTFTから構成される電圧レベル変換器は、入力パルスの入力端子が容量1を介してそれぞれNMISTFT1とPMISTFT1のゲート、第1の端子、及びPMISTFT3のゲートと接続され、前記入力パルスの入力端子が容量2を介してそれぞれNMISTFT2とPMISTFT2のゲート、第2の端子、及びNMISTFT3のゲートに接続され、NMISTFT1、PMISTFT1の第2の端子とPMISTFT3の第1の端子はそれぞれ高電圧供給側に接続され、NMISTFT2、PMISTFT2の第1の端子とNMISTFT3の第2の端子はそれぞれ低電圧供給側に接続され、PMISTFT3の第2の端子とNMISTFT3の第1の端子の接続点を出力端子とする。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンを半導体層とするMISTFTを有するレベル変換回路が絶縁基板上に形成された表示装置であって、入力パルスの入力端子が第1の容量を介してそれぞれゲート端子および第1の端子に接続される第1のNMISTFTと第1のPMISTFTと、前記入力パルスの入力端子が第2の容量を介してそれぞれ第2の端子に接続される第2のNMISTFTと第2のPMISTFTと、前記第1のNMISTFTと第1のPMISTFTのゲート端子および第1の端子がゲート端子に接続される第3のPMISTFTと、前記第2のNMISTFTと第2のPMISTFTの第2の端子がゲート端子に接続される第3のNMISTFTと、前記第3のPMISTFTの第1の端子は前記第1のNMISTFTの第2の端子と第1のPMISTFTの第2の端子と接続された高電圧電源供給配線側に接続され、前記第3のNMISTFTの第2の端子は前記第2のNMISTFTのゲート端子と第1の端子および前記第2のPMISTFTのゲート端子と第1の端子と接続された低電圧電源供給配線側に接続され、前記第3のPMISTFTの第2の端子と第3のNMISTFTの第1の端子の接続点を出力端子とすることを特徴とする表示装置。

IPC (7件)：

G09G 3/36 , G02F 1/133 520 , G09G 3/20 611 , G09G 3/20 621 , H03K 17/16 , H03K 17/687 , H03K 19/0185

FI (7件)：

G09G 3/36 , G02F 1/133 520 , G09G 3/20 611 A , G09G 3/20 621 L , H03K 17/16 L , H03K 19/00 101 D , H03K 17/687 F

Fターム (41件)：

2H093NA16 , 2H093NC05 , 2H093NC34 , 2H093NC62 , 2H093ND60 , 5C006BB16 , 5C006BC20 , 5C006BF34 , 5C006BF46 , 5C006EB05 , 5C006FA47 , 5C080AA10 , 5C080BB05 , 5C080DD25 , 5C080DD26 , 5C080FF11 , 5C080JJ02 , 5C080JJ03 , 5C080JJ04 , 5J055AX27 , 5J055BX16 , 5J055CX30 , 5J055DX22 , 5J055EX07 , 5J055EY10 , 5J055EY21 , 5J055EZ20 , 5J055FX12 , 5J055FX27 , 5J055GX01 , 5J056AA05 , 5J056AA32 , 5J056BB19 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056DD51 , 5J056DD52 , 5J056DD55 , 5J056EE11 , 5J056FF08

引用特許：

審査官引用 (8件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273942 出願人：シチズン時計株式会社
高電圧駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-228264 出願人：ソニー株式会社
レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-021709 出願人：ソニー株式会社

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