特許
J-GLOBAL ID：200903051768831393

半導体装置

発明者：
河路 佐智子

河路 佐智子 について

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臼井 正則

臼井 正則 について

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杉山 隆英

杉山 隆英 について

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堀田 幸司

堀田 幸司 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382834
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150246
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 ボディ領域内の少数キャリア濃度が小さい。【解決手段】 エミッタ電極Eと接続するn+型のエミッタ領域34と、エミッタ領域34を囲繞するとともに、エミッタ電極Eと接続するp-型のボディ領域28と、ボディ領域28と接するとともに、ボディ領域28によってエミッタ領域34から隔てられているn-型のドリフト領域26と、エミッタ領域34とドリフト領域26を隔てているボディ領域28にゲート絶縁膜33を介して対向しているトレンチゲート電極32とを備えている半導体装置において、そのトレンチゲート電極32は、トレンチ幅の異なる部分がトレンチゲート電極32の長手方向に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の主電極と、 一方の主電極に接続されている第2導電型半導体領域と、 前記第2導電型半導体領域を囲繞するとともに、前記一方の主電極に接続されている第1導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域に接するとともに、前記ボディ領域によって前記第2導電型半導体領域から隔てられている第2導電型のドリフト領域と、 前記第2導電型半導体領域と前記ドリフト領域を隔てている前記ボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向しているトレンチゲート電極を備えている半導体装置において、 前記トレンチゲート電極は、トレンチ幅の異なる部分がトレンチゲート電極の長手方向に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (8件)：
H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/44 P ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 J
Fターム (22件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM15 ,  5F033MM23 ,  5F033RR04 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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