窒化物半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045665
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251684
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【目的】発振閾値を低下させて、高出力でも長寿命なレーザ素子を実現する。【構成】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n型およびp型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Alを含む第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層と組成の異なる第2の窒化物半導体層とが積層された超格子層が設けられ、前記第1の窒化物半導体層は活性層に接近するにつれて、Alの組成が少なくなるようにされており、さらに、その超格子層に含まれる導電型を決定する不純物が、活性層に接近するにつれて、少なくなるように調整されている。超格子よりなるGRIN構造とすることにより光が活性層に集中するようになるため、閾値が下がる。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n型およびp型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Alを含む第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層と組成の異なる第2の窒化物半導体層とが積層された超格子層が設けられ、前記第1の窒化物半導体層は活性層に接近するにつれて、Alの含有量が少なくなるようにされていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292304 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭62-193192
特開昭60-145686

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