特許

J-GLOBAL ID：200903051800480530

半導体装置の製造方法

発明者： 内 田 建 ,  古 賀 淳 二 ,  大 場 竜 二 ,  鳥 海 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066291
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257352
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 常温程度でも安定して動作する単一電子素子を有する半導体装置を得ることを可能にする。【解決手段】 表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 D

Fターム (23件)：

5F083FZ01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110BB05 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG11 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG58 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007419   出願人：株式会社日立製作所
• 単一電子トンネル素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158695   出願人：松下電器産業株式会社