特許
J-GLOBAL ID：200903051804078745
単結晶の製造方法及び結晶育成るつぼ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359249
公開番号（公開出願番号）：特開平11-189485
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】切断を必要とせずに、所望の径、所望の厚さの円盤状単結晶を一バッチ操作で複数個製造する方法、このような製造方法に用いる結晶育成るつぼを提供すること。【解決手段】結晶育成るつぼ内には使用状態で水平となる複数の隔壁が設けられて内部空間が円盤状である複数の結晶育成室が形成されており、各々の隔壁には貫通小孔が設けられており、且つ育成単結晶の取り出しができるように組立、分解が可能である、複数の円盤状単結晶を製造するための結晶育成るつぼ、及びこのような結晶育成るつぼの各々の結晶育成室に原料を充填し、垂直ブリッジマン法により結晶を育成し、その後結晶育成るつぼを分解して複数の円盤状単結晶を得る、単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
貫通小孔により連通しており且つ内部空間が円盤状である複数の結晶育成室を有し、育成単結晶の取り出しができるように組立、分解が可能である結晶育成るつぼの各々の結晶育成室に原料を充填し、垂直ブリッジマン法により結晶を育成し、その後結晶育成るつぼを分解して複数の円盤状単結晶を得ることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 11/00 C
, H01L 21/208 T
