特許
J-GLOBAL ID：200903051809361909
光システム、光モジュールおよびこれに適した半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041690
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238942
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】埋込型半導体レーザ装置を光源に用いた光システムのより高速化を図る。埋込型半導体レーザ装置におけるp型InP埋込層の不純物濃度が高いと信頼性が劣化し、不純物濃度が低いと高温時のレーザ特性が低下するという問題があった。【解決手段】メサストライプ構造を有する埋込型半導体レーザ装置におけるメサストライプ構造近傍の埋込層の不純物濃度を低濃度に、より外側の埋込層を高濃度に設定する。
請求項（抜粋）：
光伝送路と、これに光学的に結合された半導体発光装置とを少なくとも有する光システムであって、前記半導体発光装置は発光波長が1.2μmより1.6μmの範囲であり且つ摂氏85度におけるしきい電流6mA以下且つスロープ効率0.28mW/mA以上なることを特徴とする光システム。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G02B 6/42
, H04B 10/28
, H04B 10/02
H01S 3/18
, G02B 6/42
, H04B 9/00 W
