半導体レーザ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070158
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254750
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】活性層に不純物拡散による悪影響を与えることなく且つ活性層の側面が充分な厚さで滑らかなp型の半導体層で埋め込まれた、低閾値で温度特性の優れた半導体レーザを提供する。【構成】埋め込み型の半導体レーザの電流狭窄埋め込み構造において、活性層の直近を埋め込むp型の第1埋め込み層の不純物濃度が、活性層に近い内側領域で低く、活性層から離れた外側領域で高くなるように設定される。低い濃度は1〜4×1017cm-3であり、高い濃度が7×1017〜3×1018cm-3となる。埋め込み構造の各層は、活性層の形成温度よりも高い。

請求項（抜粋）：

活性層の上下にクラッド層が形成され、前記活性層の両側に電流ブロック領域が形成された半導体レーザにおいて、前記活性層の側面に直接接触する前記電流ブロック領域の第1埋め込み層がp型の導電型を示し、前記第1埋め込み層の前記活性層から離れた外側領域の少なくとも一部のキャリア濃度が、前記第1埋め込み層の前記活性層に直接接触する内側領域のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-143483
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-011457 出願人：沖電気工業株式会社
特開平1-189185

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