特許
J-GLOBAL ID：200903051820614703

SiCショットキーダイオードおよびその製造方法

発明者：
浅井 隆一

浅井 隆一 について

, 
上野 勝典

上野 勝典 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053293
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】順方向のオン電圧が小さく、逆漏れ電流の小さいSiCショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】?@ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方を、SiC側からTi/Ni/Auなる三層構造とする。?A燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。?B表面を水素終端処理し、温度700〜800°Cの熱処理後直ちにショットキー電極を形成する
請求項（抜粋）：
半導体SiCの表面にショットキーバリアを生ずるショツトキー電極と、オーミック電極とが設けられたSiCショットキーダイオードにおいて、ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方が、SiC側からチタン/ニッケル/金なる三層構造であることを特徴とするSiCショットキーダイオード。
FI (2件)：
H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 M
Fターム (11件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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