電極構造および電極作成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068018
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129901
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】半導体上への電極の電気的特性を自由に制御し、Schottky電極とOhmic電極の新規な電極構造および全く新しい電極作成方法を提供する。【解決手段】半導体表面の原子レベルでの平坦化を進めることにより、電極金属堆積後の界面準位密度を低減し、これにより、Schottky障壁高さを自由に制御する。この方法を用いると、Schottky障壁がゼロの理想的Ohmic電極が実現する。Schottky障壁高さは、界面準位密度の低減と金属の仕事関数の選定により自由に変化できる。また、本方法では、加熱処理を伴わなず、安定なSchottky電極とOhmic電極を形成できる。さらに、高濃度のドーピングを必要とせずにOhmic電極を形成できる。

請求項（抜粋）：