特許
J-GLOBAL ID：200903051841580027

過電流検出回路及び過電流検出・保護回路

発明者：
長嶋 良和

長嶋 良和 について


出願人/特許権者：
矢崎総業株式会社

矢崎総業株式会社 について


代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051802
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252803
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 突入電流が流れる期間であっても正確に過電流の検出を行うことができる過電流検出回路及び突入電流が流れる期間であっても供給・遮断を繰り返すことなく正確に過電流を遮断する過電流検出・保護回路を提供する。【解決手段】 負荷L及びパワーMOSFETQAの直列回路と並列に接続されてた基準回路を、負荷L及びパワーMOSFETQBに等価な基準抵抗手段2b及び基準MOSFETQBの直列回路により構成する。検出手段CPが、基準電流の流れる基準MOSFETQBのドレインーソース間電圧と過電流によって電流の大きさが変化するパワーMOSFETに流れる過電流を検出する。抵抗値制御手段2cが、パワーMOSFETQAのオン直後、所定期間突入電流によるパワーMOSFETQAのドレイン-ソース間電圧の低下以上に基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧を低下させるように、基準抵抗手段2bの抵抗値を高い値に保持するように制御する。
請求項（抜粋）：
負荷と直列に接続され電源に対する前記負荷の接続をオン、オフするパワーMOSFETと、前記負荷及び前記パワーMOSFETの直列回路と並列に接続された基準抵抗手段及び基準MOSFETの直列回路を有する基準回路と、前記パワーMOSFETのドレイン-ソース間電圧と前記基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧との差に基づいて、前記パワーMOSFETパワーMOSFETに流れる過電流を検出する検出手段と、前記パワーMOSFETのオン直後、所定期間突入電流による前記パワーMOSFETのドレイン-ソ-ス間電圧の低下以上に前記基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧を低下させるように、前記基準抵抗手段の抵抗値を高い値に保持するように制御する抵抗値制御手段とを備えることを特徴とする過電流検出回路。
IPC (2件)：
H03K 17/08 ,  H03K 17/687
FI (2件)：
H03K 17/08 C ,  H03K 17/687 A
Fターム (46件)：
5J055AX05 ,  5J055AX32 ,  5J055AX53 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX13 ,  5J055CX20 ,  5J055CX22 ,  5J055CX28 ,  5J055DX13 ,  5J055DX22 ,  5J055DX53 ,  5J055DX54 ,  5J055DX73 ,  5J055DX83 ,  5J055EX04 ,  5J055EX06 ,  5J055EX10 ,  5J055EX11 ,  5J055EX24 ,  5J055EY01 ,  5J055EY02 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ01 ,  5J055EZ04 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ31 ,  5J055EZ50 ,  5J055EZ55 ,  5J055EZ57 ,  5J055EZ65 ,  5J055FX05 ,  5J055FX06 ,  5J055FX07 ,  5J055FX08 ,  5J055FX09 ,  5J055FX13 ,  5J055FX18 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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