特許

J-GLOBAL ID：200903051858408791

CPP-GMR再生ヘッドおよびその製造方法、ならびにCPP-GMR素子

発明者： 李 民 ,  洪 成宗 ,  韓 承▲埼▼ ,  陳 玉霞 ,  童 茹瑛
出願人/特許権者： ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154539
公開番号（公開出願番号）：特開2005-339784
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 より高い信号検出感度と安定した性能とを実現するCPP-GMR再生ヘッドおよびその製造方法ならびにCPP-GMR素子を提供する。【解決手段】 GMR素子1のフリー層20が、鉄含有率が65at%〜72at%のNiFe層21を含むように構成する。これにより、良好な軟磁気特性と許容範囲内の磁歪定数を維持しつつ、より大きな抵抗変化率(GMR比)を確保することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下部リード層の上に、シード層およびピンニング層を連続的に形成する工程と、 前記ピンニング層の上にピンド層を形成する工程と、 前記ピンド層の上に非磁性層スペーサ層を形成する工程と、 前記非磁性層スペーサ層の上に、鉄(Fe)を65ないし72原子%含有するニッケル鉄(NiFe)層と鉄を25原子%含有するコバルト鉄(CoFe)層とを含むフリー層を形成する工程と、 前記フリー層の上にキャップ層および上部リード層をこの順で形成する工程と を含むことを特徴とするCPP-GMR再生ヘッドの製造方法。

IPC (3件)：

G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

FI (4件)：

G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z

Fターム (6件)：

5D034BA03 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第6686068号
  
• 米国特許第6562199号
  
• 米国特許第6473279号
  
• 米国特許第6469879号
  
• 米国特許公開第2004/0047190号
  
• 米国特許第5627704号明細書
  
• 米国特許第5668688号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-025994   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-243900   出願人：ソニー株式会社
• スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268604   出願人：株式会社日立製作所