特許
J-GLOBAL ID：200903023255770000
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025994
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133614
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 垂直通電磁気抵抗効果素子において、スピン依存伝導に関与する部分の抵抗値を上げ、ひいては抵抗変化量を大きくする。【解決手段】 磁化固着層と、磁化自由層と、磁化固着層と磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、これらの膜面に対して略垂直にセンス電流を通電する電極とを有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固着層および磁化自由層のうち少なくとも1層が実質的にT1<SB>a</SB>T2<SB>b</SB>またはFe<SB>c</SB>Co<SB>d</SB>Ni<SB>e</SB>(T1およびT2は、Fe、CoおよびNiからなる群より選択される元素であり、25at%≦a≦75at%、25at%≦b≦75at%、a+b=100、0<c≦75at%、0<d≦75at%、0<e≦63at%、c+d+e=100)で表される2元合金または3元合金、または結晶構造が体心立方晶である合金から形成されている。
請求項（抜粋）：
磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁場に応じて変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、前記磁化固着層、非磁性中間層および磁化自由層の膜面に対して略垂直にセンス電流を通電するための電極とを具備し、前記磁化固着層および前記磁化自由層のうち少なくとも1層が実質的に一般式(1)または(2)T1<SB>a</SB>T2<SB>b</SB> (1)Fe<SB>c</SB>Co<SB>d</SB>Ni<SB>e</SB> (2)(ここで、T1およびT2は、Fe、CoおよびNiからなる群より選択される互いに異なる元素であり、25at%≦a≦75at%、25at%≦b≦75at%、a+b=100、0<c≦75at%、0<d≦75at%、0<e≦63at%、c+d+e=100)で表される2元合金または3元合金から形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
, G01R 33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034CA04
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
