ハンダバンプ付き半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003759
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191013
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】信頼性、歩留まり、及び生産性を向上できるバンプ付き半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】電解メッキ法によりハンダバンプを形成した半導体素子に、ウェハ状態でスプレータイプのフラックス塗布装置によりハンダリフロー用のフラックスを塗布し、連続リフロー炉によりハンダバンプをリフローする。その後、フラックス残渣を除去するためにウェハ11を洗浄することを特徴としている。フラックスには、ロジン系あるいは有機酸系フラックスで且つ固形分が1〜40wt%のものを用いる。フラックスを霧状にしてウェハに噴霧するので、少量のフラックスで均一に塗布でき、塗布エリアを限定でき、且つ洗浄も容易になる。

請求項（抜粋）：

電解メッキ法によりハンダバンプを形成した半導体素子に、スプレータイプのフラックス塗布装置によりウェハ状態でハンダリフロー用のフラックスを塗布する工程と、連続リフロー炉によりハンダバンプをリフローする工程と、フラックス残渣を除去するためにウェハを洗浄する工程とを具備し、前記ウェハに塗布するフラックスは、ロジン系あるいは有機酸系フラックスで且つ固形分が1〜40wt%であることを特徴とするハンダバンプ付き半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H05K 3/34 503

FI (3件)：

H01L 21/92 604 B , H05K 3/34 503 A , H01L 21/92 604 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

半田バンプ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-241071 出願人：富士通株式会社
特開平3-190239
特開昭61-144095

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